SK海力士 SK hynix Inc.(NASDAQ:SKHY)成立于1983年，总部位于韩国Icheon，全职雇员47,639人，是全球最大的存储半导体公司之一，致力于先进存储半导体的设计、制造与销售。SK海力士占据了高带宽内存（HBM）芯片市场60%的份额。
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SK海力士 SK hynix Inc.(SKHY)美股百科
SK Hynix Inc. 是一家韩国半导体公司，主要生产动态随机存取存储器（DRAM）芯片和闪存芯片。SK Hynix 是全球最大的半导体供应商之一，并与 Samsung Electronics、Micron 并称为存储器制造商“三巨头”。
SK Hynix 于1983年以 Hyundai Electronics 之名创立。经过一系列合并、收购和重组后，该公司于2012年并入 SK Group。并入 SK Group 后，SK Hynix 成为该集团旗下的重要关联公司，与 SK Innovation、SK Telecom 并列。
SK Hynix 的存储产品几乎可用于所有电子设备，包括显卡、个人电脑、数据中心服务器、智能手机和平板电脑等移动设备，以及其他消费电子产品。SK Hynix 还通过全资子公司 SK hynix system ic 和 SK keyfoundry 开展晶圆代工业务。SK Hynix 销售种类丰富的 DRAM 和 NAND 闪存产品，提供多种配置选项、架构和性能特征，以满足不同应用场景和客户的特定需求。
在开发先进规格 DRAM 产品方面，SK Hynix 是全球领先企业之一，尤其是在高密度、更快数据处理速度和更低功耗需求的 DRAM 领域。
根据 IDC 的市场研究，在包含 HBM 在内的 DRAM 市场，按收入计算，SK Hynix 在2026年第一季度全球排名第二，市场份额为29.1%。根据 IDC 的数据，在 HBM 市场，按收入计算，SK Hynix 在2026年第一季度全球排名第一，市场份额为56.4%。此外，根据 IDC 的数据，按收入计算，SK Hynix 是全球第二大 NAND 闪存供应商，2026年第一季度全球市场份额为18.5%。
SK 海力士公司的主要客户包括 Nvidia、Microsoft、Apple、Asus、Dell、MSI（微星科技，台证所:2377）、HP Inc. 和 Hewlett Packard Enterprise。其他使用 Hynix 存储器的产品还包括 DVD 播放器、手机、机顶盒、个人数字助理、网络设备和硬盘驱动器。
截至2026年3月31日的12个月，SK海力士实现营收858亿美元。
SK海力士 SK hynix Inc.(SKHY)历史百科
1983年2月，创立现代电子株式会社。同年10月，利川工厂开工。
1984年9月，完成FAB II-A。
1984年12月，韩国国内最先成功试产16Kb静态随机存取存储器。
1985年10月，开始批量生产256K的DRAM。同年12月，16Kb静态随机存取存储器开始出货。
1986年10月，FAB 1B-LINE完工。
1987年7月，与美国MOS ELECTRONIC公司达成256Kb静态随机存取存储器技术合作。
1987年8月，与美国TI公司签订256Kb动态随机存取存储器代工供应合同。
1988年1月，开发1Mb的DRAM。同年11月，在欧洲当地设立公司（HEE）。
1989年9月，开发4Mb的DRAM。同年11月，竣工 FAB III。
1991年3月，开发16Mb的DRAM。
1992年9月，成功开发第二代16Mb动态随机存取存储器；成功开发半导体64Mb动态随机存取存储器。
1992年12月，FAB 2 B-Line完工。
1993年6月，FAB IV完工。
1993年8月，收购美国HDD生产公司Maxtor公司。
1995年8月，在美国俄勒冈州设立半导体工厂。
1995年10月，在世界上首次开发256Mb的SDRAM。
1996年12月，公司股票上市。
1997年5月，在世界上首次开发1Gb SDRAM。
1997年11月，全球最先成功开发Synclink动态随机存取存储器新产品。
1998年9月，开发64Mb的DDR SDRAM。
1998年11月，成功量产全球最高速128Mb静态随机存取存储器。
2000年7月，与LG电子达成半导体领域战略合作。
2000年12月，成功开发超小型256MB半导体模块。
2001年3月，公司更名为 Hynix半导体有限公司。
2001年5月，剥离通信服务业务Hyundai CuriTel；剥离网络业务Hyundai Networks。
2001年7月，剥离CDMA移动通信设备制造业务Hyundai Syscomm。
2001年8月，完成与现代集团的最终分离。
2001年12月，开发世界上速度最快的128MB DDR SDRAM。
2002年3月，开发1G DDR DRAM模块。
2002年8月，在世界上首次开发高密度大宽带256MB的DDR SDRAM。
2003年4月，宣布与STMicroelectronics公司签定协议合作生产NAND闪存。
2003年5月，超低功率256Mb SDRAM投入批量生产。同年7月，宣布在世界上首次发表DDR500。
2003年8月，Hynix 正式从 Hyundai Group 分拆独立。
2003年12月，宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU。
2004年2月，成功开发512Mb NAND闪存。
2004年11月，与意法半导体公司（STMicroelectronics)签订关于在中国合资建厂的协议。
2005年12月，世界最先开发512Mb GDDR4、业界最高速度及最高密度Graphics DRAM。
2006年1月，发表与M-Systems公司的DOC H3共同开发计划(闪存驱动器内置的新型DiskOnChip)。
2006年12月，业界最先发表60nm 1Gb DDR2 800MHz基础模块；开发出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM。
2007年1月，开发出以“晶圆级封装(Wafer Level Package)”技术为基础的超高速存储器模块。
2007年3月，与Toshiba签署半导体特许商户许可证及供应合同；与SanDisk就特许商户许可证合同达成协议及签署关于对x4技术建立合作公司的谅解备忘录(MOU)。
2007年9月，以24层叠芯片(stacked chips)，世界最先开发NAND闪存MCP。
2007年10月，与Ovonyx公司签署关于PRAM的技术及许可证合同；与环境运动联合(韩国)签署关于在环境管理上进行合作的合同。
2007年11月，与SiliconFile公司签署CIS事业合作协议；业界最先开发1Gb GDDR5 DRAM。
2008年5月，与ProMOS公司签署关于加强长期战略性合作的修改案。
2008年12月，世界最先开发2Gb Mobile DRAM。
2009年4月，世界最先开发低耗电-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM。
2010年9月，与HP签署了联合开发新一代记忆体产品ReRAM的协议。
2011年7月，与 Toshiba 签署了联合开发MRAM的协议。
2012年3月，公司名称改为 SK hynix Inc.。
2012年6月，收购 Ideaflash S.r.l.并于欧洲建立闪存研发中心；与IBM签署了联合开发PCRAM的协议、
2013年6月，与Rambus签署了专利许可协议，开发全球首个高密8Gb LPDDR3。
2013年，开发全球首个 20nm Class 6Gb LPDDR3；开发全球首个 20nm Class LPDDR4；开发全球首个 TSV-based HBM。
2014年4月，开发全球首个 128GB DDR4模件。
2014年5月，与Violin Memory的PCIe Card 部门合併；6月，与Softeq Development FLLC的固件部門合併。
2015年8月，与美国闪迪公司签订延长专利许可期限及供货合同。
2016年10月，与美国斯坦福大学签署“关于人工神经网半导体器件的联合研发”协议。
2017年1月，全世界容量最大的8GB、超低功耗的移动DRAM----LPDDR4X上市。
2017年7月，成立铸造专门子公司“SK海力士系统集成电路”。
2018年6月，通过韩美日联合国际财团，完成收购东芝存储器公司的程序。
2018年11月，第二代10纳米级（1Y）16Gb DDR5开发；第二代10纳米级（1Y）DDR4 DRAM 开发；世界首创基于CTF 96段4D NAND 开发。
2019年，全球首次量产128层4D NAND闪存；开发世界最快的高带宽存储器 HBM2E。
2020年9月，成立AI专业公司高斯实验室公(Gauss Labs Inc.)。
2020年11月，推出全球首款DDR5 DRAM。
2021年，SK Hynix 以90亿美元收购 Intel 的 NAND 闪存业务，并由此成立 Solidigm。
2021年，宣布开始量产业界最高容量的LPDDR5移动端DRAM；开发出全球首款HBM3 DRAM。
2021年12月，收购英特尔NAND内存业务已完成第一阶段交易。
2022年，开发新一代智能存储半导体PIM；开始量产HBM3 DRAM。
2022年8月，完成对Key Foundry的收购。
2023年1月，开发全球最快移动DRAM LPDDR5T。
2023年4月，开发出全球首款12层堆叠HBM3。
2023年11月，世界最快‘LPDDR5T’移动DRAM首次商业化。
2024年3月，启动全球首款HBM3E DRAM的量产。
2024年4月，与TSMC签署HBM技术合作谅解备忘录；与美国印第安纳州签署先进封装领域投资协议。
2024年，SK海力士还开发下一代移动NAND解决方案 ZUFS 4.0；开发用于AI PC的高性能SSD PCB01；开发全球首款10纳米级第六代DRAM 1c DDR5；开始量产全球首款12高堆叠HBM3E DRAM；开发用于数据中心的高性能SSD PEB110 E1.S。
2025年3月，出货全球首款12高堆叠HBM4样品。
2025年9月，全球首次完成 “HBM4” 研发并建立量产体系，于第四季度开始出货；存储器行业首次引进生产用 “High NA EUV”。
2026年3月，有报道称 SK Hynix 已向美国证券交易委员会提交文件，计划在纽约证券交易所上市。
截至2026年6月，SK Hynix 市值估计达到1,251万亿韩元，在全球上市公司市值排名中位列第13位。
2026年6月22日，SK Hynix 按普通股市值计算首次超越 Samsung Electronics，成为韩国 KOSPI 市场市值最高的上市公司。这也是自2000年11月以来，Samsung Electronics 首次失去 KOSPI 市值第一宝座，结束了长达25年7个月的统治地位。
SK海力士 SK hynix Inc.(SKHY)美股投资
2026年6月24日，韩国领先的DRAM及闪存芯片制造商SK海力士（SK hynix）周三向美国证券交易委员会（SEC）提交了首次公开募股（IPO）申请，据报道其募资额最高可达294亿美元。该公司目前在韩国交易所（KRX）的KOSPI市场上市，股票代码为“000660”。公司计划以“SKHY”为股票代码在纳斯达克上市。美国银行证券（BofA Securities）、花旗（Citi）、高盛（Goldman Sachs）和摩根大通（J.P. Morgan）担任此次发行的联席账簿管理人。
参考资料：
2F
作为全球第二大存储芯片制造商，SK海力士（SK hynix）是人工智能（AI）系统高带宽存储（HBM）芯片的主导供应商，其客户包括英伟达（Nvidia）和Alphabet。随着用于AI加速器的HBM芯片需求持续增长，此次发行美国存托凭证（ADR）旨在扩大SK海力士（SK Hynix）的全球投资者群体。
韩国存储芯片巨头SK海力士（SK Hynix）计划2026年7月通过向美国投资者发行股票筹集45.45万亿韩元（约合294亿美元）；此举标志着该公司在存储行业处于史上最强劲的上升周期之一之际，正积极推进大规模扩张。
SK海力士将发行1779万股新股，以支持其美国存托凭证（ADR）于7月10日在纳斯达克市场上市。该公司表示，筹得资金将用于在龙仁市（Yongin）建设芯片工厂，在清州市（Cheongju）建设先进封装工厂，以及采购极紫外（EUV）光刻机等芯片制造设备。
1F
SK海力士（SK hynix）是全球最大的存储半导体公司之一，主要从事动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存产品的设计、制造与销售。按营收计算，该公司在全球DRAM、高带宽内存（HBM）及NAND闪存市场均位居第一或第二。其存储产品广泛应用于各类电子设备，包括显卡、个人电脑、数据中心服务器、移动设备及其他消费电子产品。此外，该公司也开展代工业务。