Soitec SA(OTCPK:SLOIF、Euronext Paris:SOI)成立于 1992 年，总部位于法国Bernin，全职雇员1,991人，是一家在亚洲、欧洲和美国从事半导体材料开发与制造的公司。
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Soitec SA(SLOIF)美股百科
Soitec 是一家法国跨国企业，主要生产用于半导体制造的衬底材料。Soitec 的半导体材料被用于制造芯片，这些芯片广泛应用于智能手机、平板电脑、电脑、IT 服务器以及数据中心。Soitec 的产品还被用于汽车、物联网设备以及工业和医疗设备中的电子元器件。
Soitec 的旗舰产品是绝缘体上硅（SOI，Silicon on Insulator）技术。Soitec 生产的材料以衬底（也称“晶圆”）形式存在。这些晶圆是直径约 200 至 300 毫米、厚度不足 1 毫米的超薄圆盘，随后会经过蚀刻和切割，用于制造电子设备中的微芯片。
Soitec 公司提供多种半导体材料与解决方案，包括：
- CONNECT Radio Frequency Silicon-on-Insulator，用于智能手机前端模块；
- CONNECT FD SOI，用于工程化衬底；
- CONNECT Piezoelectric-on-Insulator RF filters，用于智能手机射频滤波器；
- CONNECT RF gallium nitride，可提升下一代 Sub-6GHz 与毫米波 5G 基础设施及移动设备的频率系统效率和功率密度。
此外，Soitec 公司还提供：
- 面向汽车与工业市场的 Auto Power-SOI 产品；
- 用于电动车与工业应用成本优化的 Auto Smartsic；
- Photonics SOI，可在 SOI 衬底上集成光子组件，以增强光通信能力；
- 用于汽车雷达和处理器的 AUTO FD-SOI。
与此同时，Soitec 公司还推出：
- Imager-SOI，用于高分辨率 3D 图像与小型化设备；
- PD-SOI，为云计算和网络设备提供复杂运算能力与功能；
- FD-SOI 技术，在数字性能、混合信号/射频兼容性、功耗与成本之间实现最佳平衡；
- MEMS-SOI，由绝缘氧化层与支撑层组成。
Soitec 的产品广泛应用于智能手机、电脑、服务器、工业与医疗设备、电动车与自动驾驶汽车、物联网设备、机器人以及自动化系统等领域。
Soitec SA(SLOIF)技术百科
Smart Cut™
Smart Cut™ 由 CEA-Leti 与 Soitec 合作开发，并由研究人员 Michel Bruel 申请专利。该技术通过结合离子注入与分子键合，可以将一层单晶材料薄层从供体衬底转移到另一块衬底上。Soitec 利用 Smart Cut™ 技术大规模生产 SOI 晶圆。与传统体硅相比，SOI 能够显著降低衬底中的能量泄漏，并提升其所应用电路的性能。
Smart Stacking™
Smart Stacking™ 技术涉及将部分或完全加工完成的晶圆转移到其他晶圆上。该技术可适用于 150 毫米至 300 毫米直径的晶圆，并兼容多种衬底材料，例如硅、玻璃和蓝宝石。
Smart Stacking™ 技术被用于背照式图像传感器，可提升灵敏度并缩小像素尺寸；也应用于智能手机射频电路。同时，该技术还为 3D 集成开辟了新的可能性。
外延技术（Epitaxy）
Soitec 在 III-IV 族材料外延方面拥有专业能力，覆盖分子束外延、金属有机气相外延和氢化物气相外延等领域。公司生产砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）晶圆，用于开发和制造化合物半导体系统。
这些材料应用于 Wi-Fi 和高频电子设备，包括移动通信、基础设施网络、卫星通信、光纤网络和雷达探测，也用于能源管理和光电子系统，例如 LED。
Soitec SA(SLOIF)历史百科
Soitec 于 1992 年在法国 Grenoble 附近成立，由两位来自 CEA Leti 的研究人员创办。CEA Leti 是法国原子能与替代能源委员会（CEA）旗下专注于微电子与纳米技术研究的机构。两位创始人开发了 Smart Cut™ 技术，用于推动绝缘体上硅（SOI）晶圆的产业化，并在法国伊泽尔省 Bernin 建立了首个生产基地。Soitec 最初主要面向电子市场提供产品。2000 年代末，公司开始进入太阳能与照明市场，利用其材料与技术拓展新的应用领域。
Soitec 关键时间节点：
- 1963 年：North American Aviation 发明 SOS 技术。
- 1965 年：Westinghouse 发明首个 MEMS 设备。
- 1978 年：Hewlett-Packard 开发 SPER 技术。
- 1979 年：NOSC 开始研究薄膜 SOS 技术。
- 1988 年：NOSC 公布 SOS 研究成果。
- 1989 年：IBM 开始研究 SOI 技术。
- 1990 年：Peregrine Semiconductor 成立。
- 1991 年：Peregrine Semiconductor 推出 SOS（UltraCMOS）商业化方案。
- 1992 年：Soitec 由 CEA Leti 研究人员在法国 Grenoble 创立。
- 1995 年：Peregrine Semiconductor 推出首款产品。
- 1995 年：IBM 实现 SOI 商业化。
- 1997 年：CEA-Leti 分拆成立 Tronics Microsystems，用于 SOI MEMS 商业化。
- 1997 年：Soitec 与 Shin Etsu Handotai（SEH）签署 Smart Cut™ 技术授权协议后，转向大规模量产。
- 1999 年：Soitec 在 Bernin 建立首个生产基地（Bernin 1），并启动首次公开募股（IPO）。
- 2001 年：IBM 发布 RF-SOI 技术。
- 2001 年：CEA-Leti 与 Motorola 合作开发高纵深比 SOI MEMS。
- 2002 年：OKI 推出首款商业化 FD-SOI LSI 产品。
- 2002 年：Bernin 2 工厂启用，专门生产 300 毫米晶圆。
- 2003 年：Soitec 收购专注于 III-V 复合材料技术的 Picogiga International，首次进入 SOI 以外材料领域。
- 2005 年：Freescale 推出 HARMEMS。
- 2006 年：Soitec 收购 Tracit Technologies，该公司专注于分子键合以及机械和化学减薄工艺，帮助 Smart Cut™ 技术拓展新应用。
- 2008 年：Soitec 在新加坡建立亚洲生产基地。2012 年该工厂用于 SOI 晶圆回收业务；2013 年暂停生产，以准备 Fully Depleted Silicon on Insulator（FD-SOI）新技术。
- 2009 年：Soitec 收购德国聚光光伏系统供应商 Concentrix Solar，正式进入太阳能市场。
- 2011 年：Soitec 收购半导体设备开发公司 Altatech Semiconductor。
- 2012 年：Soitec 在加利福尼亚州 San Diego 建立 CPV 模块生产基地，产能为 140MW，可扩展至 280MW。
- 2012 年：GlobalFoundries 与 STMicroelectronics 签署 28 纳米和 20 纳米 FD-SOI 器件供应协议。GlobalFoundries 同意使用 STMicroelectronics 的 CMOS28FDSOI 工艺生产晶圆。FD-SOI 技术源于 Soitec、ST 与 CEA Leti 的合作。
- 2013 年：Soitec 与 Sumitomo Electric 签署 Smart Cut™ 授权协议，共同开发用于 LED 照明的氮化镓（GaN）晶圆市场；同时与 GT Advanced Technologies 签署协议，共同开发和商业化 LED 晶圆制造设备。
- 2014 年：Samsung 与 STMicroelectronics 签署晶圆代工与授权协议，使 Samsung 能够利用 FD-SOI 技术生产 28 纳米集成电路。同年，Soitec 太阳能部门启用南非 Touwsrivier 太阳能电站首期 50% 项目，该项目规划总装机容量为 44MWp，但最终未能全部完工。
- 2015 年：Samsung 完成 28FDS 工艺认证。
- 2015 年：由于美国多个重要太阳能项目终止，Soitec 宣布战略转向电子业务，并计划退出太阳能行业。
- 2015 年：Peregrine Semiconductor 与 GlobalFoundries 于 7 月宣布首个 300 毫米 RF-SOI 平台（130 纳米）。
- 2015 年：GlobalFoundries 于 7 月宣布推出 22 纳米 FD-SOI 芯片平台（22FDX）。
- 2015 年：Soitec 与 Simgui 宣布中国首批 200 毫米 SOI 晶圆量产。
- 2015 年：CEA Leti 展示基于 300 毫米 SOI 晶圆的 MEMS 技术。
- 2016 年：Soitec 开始量产 300 毫米 RF-SOI 晶圆。
- 2017 年：GlobalFoundries 发布 45RFSOI。
- 2017 年：Samsung 发布 18FDS。
- 2017 年：IBM 与 GlobalFoundries 宣布定制 FinFET-on-SOI 工艺（14HP）。
- 2017 年：Soitec 与 GlobalFoundries 签署为期五年的 FD-SOI 晶圆供应协议。
- 2018 年：STMicroelectronics 采用 GlobalFoundries 的 22FDX 平台。
- 2018 年：Soitec 与 MBDA 收购 Dolphin Integration 资产。
- 2019 年：Soitec 与 Samsung 签署 FD-SOI 晶圆大规模供应协议。
- 2019 年：Soitec 收购 EpiGaN。
- 2019 年：Soitec 与 GlobalFoundries 签署 SOI 晶圆大规模供应协议。
- 2020 年：GlobalFoundries 发布 22FDX+ 平台。
- 2020 年：Soitec 与 GlobalFoundries 签署多年期 300 毫米 RF-SOI 晶圆供应协议。
- 2022 年：Soitec 开始建设用于生产碳化硅（SiC）晶圆的 Bernin 4 工厂，计划于 2024 年投产。
Soitec SA(SLOIF)美股投资
参考资料：
