日本铠侠控股株式会社 Kioxia Holdings Corporation(OTCPK:KXIAY、TYO:285A)创立于2019年，前称Toshiba Memory Holdings Corporation，于2019年6月改为现用名，总部位于日本Minato，在日本、北美、欧洲及亚洲等地，从事存储器及相关产品的研发、制造、销售及其他服务，这些产品主要应用于固态硬盘（SSD）、存储设备和智能设备。
日本铠侠控股 Kioxia Holdings Corporation(KXIAY)美股百科
Kioxia Holdings Corporation是一家总部位于日本Tokyo的半导体存储器及数据存储集团，旗下主要运营子公司Kioxia Corporation为其全资子公司，专注于NAND闪存、固态硬盘（SSD）及相关存储产品的研发、制造和销售。
2017年4月1日，Toshiba将旗下存储器业务分拆为独立公司Toshiba Memory Corporation（东芝存储器株式会社），该公司随即开始独立运营。2018年6月，由Bain Capital牵头的财团从Toshiba手中收购了该业务。2019年3月1日，Toshiba Memory Holdings Corporation成立，成为Toshiba Memory Corporation的控股公司。同年10月，两家公司正式启用Kioxia名称。
铠侠控股株式会社（Kioxia Holdings Corporation）提供闪存、固态硬盘（SSD）、SD存储卡及其他零售产品。
此外，铠侠公司的业务还涵盖：固态硬盘（SSD）产品的研发；存储器及固态硬盘产品的市场营销；存储器后道工序外包生产的生产管理；存储器及半导体产品用光掩膜（光罩）的生产与分销；能源管理业务；计算机集成制造（CIM）系统的开发工程委托；以及为研发中心提供清洁与维护服务，并提供客户支持服务。
2024年12月18日，Kioxia Holdings Corporation正式在东京证券交易所上市。2026年第一季度，Kioxia以13.9%的市场份额，按营业收入计算位列全球第三大NAND闪存供应商。
日本铠侠控股 Kioxia Holdings Corporation(KXIAY)产品百科
1、NAND flash and BiCS FLASH
Kioxia的主要半导体产品是NAND闪存。其前身Toshiba于1987年发明NAND闪存，并于2007年公布三维闪存技术。Kioxia的3D NAND闪存技术以BiCS FLASH品牌销售。2015年，Toshiba实现了48层BiCS FLASH闪存的商业化。2017年，公司发布采用96层堆叠技术的第四代BiCS FLASH产品，并于2018年实现采用该技术的固态硬盘（SSD）商业化。
2020年，Kioxia发布采用112层堆叠技术的第五代BiCS FLASH。2021年，公司进一步推出采用162层堆叠技术的第六代三级单元（TLC）闪存，并于2022年推出对应的四级单元（QLC）产品。
2023年，Kioxia发布采用218层堆叠技术的第八代BiCS FLASH。2025年，公司又公布采用332层堆叠技术的第十代BiCS FLASH。
新一代BiCS FLASH采用CMOS直接键合至存储阵列（CMOS directly Bonded to Array，CBA）架构。该技术将存储单元阵列与CMOS电路分别制造在不同的晶圆上，然后通过晶圆键合工艺将两者连接在一起。
2026年7月，Kioxia开始向客户提供第十代BiCS FLASH样品。该产品采用332层字线堆叠结构，单颗芯片容量为1太比特（1 Tbit），使用三级单元（TLC）存储技术。
根据TrendForce的数据，2026年第一季度，Kioxia的NAND闪存业务收入占全球市场的13.9%，按营业收入计算位列全球第三大NAND闪存供应商。
2、SSDs and XL-FLASH
Kioxia利用自主研发的NAND闪存技术，生产面向企业级市场、数据中心及个人计算设备的固态硬盘（SSD）。
2019年，Kioxia发布XL-FLASH，这是一种基于BiCS FLASH和单级单元（SLC）技术开发的低延迟存储级内存（Storage-Class Memory，SCM）。
XL-FLASH旨在缩小DRAM等工作内存与传统闪存存储设备之间的性能差距，为需要低延迟和高速数据访问的应用提供新的存储解决方案。
2022年，Kioxia发布第二代XL-FLASH，新增对多级单元（MLC）运行模式的支持。
日本铠侠控股 Kioxia Holdings Corporation(KXIAY)生产基地
Kioxia的主要NAND闪存制造基地包括位于日本三重县Yokkaichi的Yokkaichi Plant（四日市工厂），以及位于岩手县Kitakami的Kitakami Plant（北上工厂）。2024年，据Reuters报道，随着人工智能推动闪存需求增长，Kioxia正准备大幅扩大Kitakami工厂的产能，同时继续维持Yokkaichi工厂的生产运营。
Kioxia集团与Sandisk通过三家联合制造企业合作生产闪存，分别为Flash Partners Ltd.、Flash Alliance Ltd.和Flash Forward LLC。虽然Kioxia持有这三家企业各50.1%的投票权，但Kioxia与Sandisk拥有平等的决策权。因此，Kioxia根据国际财务报告准则（IFRS），将这三家企业作为共同经营进行会计处理。
这些联合制造企业负责为Yokkaichi和Kitakami工厂的生产设备提供融资并采购设备。Kioxia利用相关设备进行晶圆加工，三家联合制造企业则将生产产量的50%分配给Kioxia集团，另外50%分配给Sandisk集团。
双方的合作关系最初始于SanDisk。2016年，Western Digital收购SanDisk，此后Western Digital成为Kioxia的主要联合生产合作伙伴。
2025年2月，Western Digital将旗下闪存业务分拆为独立上市公司Sandisk Corporation。
2026年1月，Kioxia与Sandisk将Yokkaichi工厂的合资协议延长至2034年12月31日。双方在Kitakami工厂的合资协议同样有效至2034年底。
Yokkaichi Plant（四日市工厂）
Yokkaichi工厂成立于1992年，最初主要生产动态随机存取存储器（DRAM），并于1999年开始生产NAND闪存。2001年，Toshiba退出通用型DRAM生产业务，此后NAND闪存成为Yokkaichi工厂的主要产品。随着全球NAND闪存需求不断增长，Yokkaichi工厂经历了多次扩建。Kioxia将其定位为全球规模最大的闪存制造基地之一。
2022年，日本政府批准向Kioxia与Western Digital联合投资建设的Yokkaichi Fab7晶圆厂提供最高929亿日元的补贴。
Kitakami Plant（北上工厂）
Kioxia的Kitakami工厂由Kioxia Iwate Corporation负责运营。2020年，Kitakami工厂的Fab1晶圆厂正式投入运营。2025年9月，Fab2晶圆厂开始运营。Fab2主要用于生产采用218层堆叠技术的第八代3D NAND闪存，以及后续更先进的闪存产品。
2024年2月，日本政府批准向Yokkaichi和Kitakami工厂的下一代3D闪存制造设施提供最高1,500亿日元的补贴。
2026年7月，Kioxia与Sandisk开始在Kitakami Fab2晶圆厂生产采用第十代技术的3D NAND闪存。
日本铠侠控股 Kioxia Holdings Corporation(KXIAY)历史百科
1984年，Toshiba（东芝）的舛冈富士雄（Fujio Masuoka）及其同事在国际电子器件会议（International Electron Devices Meeting，IEDM）上展示了一种闪存型电可擦除可编程只读存储器（Flash EEPROM）存储单元。此后，Toshiba工程师于1987年发明NAND闪存，并于1991年实现4兆比特（4-Mbit）NAND闪存芯片的商业化。
2014年1月，Toshiba完成对OCZ Technology Group资产的收购，并成立子公司OCZ Storage Solutions，将OCZ的固态硬盘（SSD）业务纳入自身存储业务体系。
2016年12月，Toshiba披露，旗下Westinghouse Electric Company收购核电工程建设及服务企业CB&I Stone & Webster的交易，可能导致公司产生巨额商誉减值及相关损失。
2017年1月，Toshiba表示，潜在损失可能高达数十亿美元，公司需要采取措施改善财务结构。为应对财务压力，Toshiba决定将存储器业务分拆为独立公司，并考虑通过引入第三方资本改善财务状况。
2017年4月1日，Toshiba Memory Corporation（东芝存储器株式会社）正式开始运营，成为Toshiba旗下负责存储器及相关产品业务的全资子公司。随后，Toshiba同意将Toshiba Memory出售给K.K. Pangea。后者是一家由Bain Capital牵头的投资财团成立的特殊目的收购公司。
2018年6月1日，这笔总价值2万亿日元的收购交易正式完成。交易完成后，Toshiba重新向该业务进行投资。Pangea的投票权股权结构为：BCPE Pangea Cayman, L.P.持有49.9%，Toshiba持有40.2%，Hoya Corporation持有9.9%。
2018年8月1日，Pangea与Toshiba Memory Corporation正式合并，合并后公司继续使用Toshiba Memory Corporation名称。
2019年3月1日，Toshiba Memory Corporation通过单独股份转移方式设立控股公司Toshiba Memory Holdings Corporation。重组完成后，Toshiba Memory Corporation成为控股公司的全资子公司，继续负责研发、制造、市场营销及销售等业务，而控股公司则承担集团整体战略制定和经营管理监督职责。
2019年6月，日本Yokkaichi发生停电事故，导致Toshiba Memory和Western Digital的闪存制造业务受到影响。Western Digital估计，此次事故使其可供应的闪存晶圆产能减少约6艾字节（EB）。
2019年8月，Toshiba Memory宣布达成协议，计划以1.65亿美元收购台湾电子制造商Lite-On旗下的固态硬盘业务。此次收购于2020年7月1日正式完成。
2019年10月1日，Toshiba Memory Holdings Corporation正式更名为Kioxia Holdings Corporation（铠侠控股株式会社），旗下Toshiba Memory Corporation则更名为Kioxia Corporation（铠侠株式会社）。
2020年，Kioxia计划进行首次公开募股（IPO）。然而，2020年9月28日，公司宣布推迟上市，主要原因是资本市场持续波动，以及市场对第二波新冠疫情的担忧。
2022年2月，由于3D NAND闪存生产过程中使用的一种材料受到污染，Kioxia位于Yokkaichi和Kitakami的工厂生产受到干扰。Western Digital估计，此次事件至少影响了其6.5艾字节（EB）的闪存供应能力。
2023年，Kioxia与其制造合作伙伴Western Digital展开合并谈判。然而，由于Kioxia的间接投资者SK Hynix反对拟议合并，双方谈判最终陷入停滞。
2024年，随着NAND闪存价格和市场需求复苏，Kioxia重新启动上市计划。
2024年12月18日，Kioxia Holdings Corporation正式完成首次公开募股（IPO），并在东京证券交易所Prime Market（主要市场）挂牌交易。此次IPO募集资金总额达到1,200亿日元，其中包括超额配售部分。
截至2026年3月31日，铠侠控股（Kioxia Holdings）的最大股东分别为东芝株式会社（17.59%）、BCPE Pangea Cayman 2, Ltd.（14.17%）、BCPE Pangea Cayman 1A, L.P.（4.91%）以及高盛国际（Goldman Sachs International，3.74%）。
日本铠侠控股 Kioxia Holdings Corporation(KXIAY)美股投资
参考资料：
