日本电子元器件制造商:罗姆半导体ROHM Co., Ltd.(ROHCY)

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九月 14, 202000:28:16 评论 254 5376字阅读17分55秒
日本电子元器件制造商:罗姆半导体ROHM Co., Ltd.(ROHCY)

罗姆株式会社ROHM Co., Ltd.(OTC PINK:ROHCY、ROHCF、TYO:6963)成立于1958年,前称Toyo Electronics Industry Corporation,于1981年改为现用名,总部位于日本京都,全职雇员22,303人,是一家在全球制造和销售电子组件的公司。

日本电子元器件制造商:罗姆半导体ROHM Co., Ltd.(ROHCY)

罗姆半导体ROHM Co., Ltd.(ROHCY)美股百科:

罗姆是1958年于日本成立的跨国电子公司。罗姆半导体(ROHM SEMICONDUCTOR)前称R.ohm,品牌和商标的「R」代表公司初始产品项目,同时代表可靠性(Reliability),「OHM」代表电阻测量单位欧姆(Ω)。

罗姆半导体提供IC产品,包括:存储器、放大器/比较器、电源管理、时钟/计时器、开关/多路转换器/逻辑、数据转换器、传感器/MEMS、显示用驱动器、电机/执行机构驱动器、接口、通信LSI (LAPIS)、音频/视频、语音合成LSI (LAPIS)、微控制器(LAPIS)。

罗姆半导体还提供分立式半导体,包括:MOSFET、双极晶体管、二极管。

此外,罗姆半导体提供功率器件,包括:功率晶体管、功率二极管、SiC(碳化硅)功率元器件、IGBT、智能功率模块。

再者,罗姆公司无源元件,包括:电阻器、导电性高分子电容器、钽电容器;模块产品,包括:无线通信模块和热敏打印头。

还有,罗姆半导体公司提供光学器件,包括:贴片LED、LED显示器、激光二极管和光学传感器。

再有,罗姆半导体提供代工服务,生产包括薄膜压电MEMS、晶圆(LAPIS)、WL-CSP (LAPIS)等。

罗姆半导体ROHM Co., Ltd.(ROHCY)历史百科:

  • 1954 创立东洋电具制作所;开发碳素皮膜电阻并投入市场
  • 1958 成立株式会社东洋电具制作所
  • 1962 开始自制电阻自动装配机
  • 1963 开发金属皮膜电阻并投入市场
  • 1965 引入品质管理
  • 1966 制定企业目的、经营基本方针
  • 1966 ROHM Wako株式会社成立
  • 1967 开始晶体管和开关二极管的开发、销售
  • 1968 完成二极管阵列及二极管矩阵的商品化
  • 1969 开始IC的开发
  • 1969 ROHM Apollo株式会社成立
  • 1970 为了事务机械化,购入电脑
  • 1970 ROHM Logistec株式会社成立
  • 1970 美国加利福尼亚州现地法人成立
  • 1971 在硅谷开始研究开发IC
  • 1971 ROHM Electronics GmbH成立
  • 1971 晶体三极管的开发研制以及销售开始
  • 1972 ROHM Korea Corporation 成立
  • 1973 开始发光二极管及网络电阻器的开发、销售
  • 1974 开始热敏打印头的开发、销售
  • 1974 ROHM 电子香港有限公司成立
  • 1976 开始矩形贴片电阻器的开发、销售
  • 1977 开始整流二极管的开发、销售
  • 1979 公司商标由R.ohm改为ROHM。
  • 1979 ROHM Electronics Asia Pte. Ltd. (RES DIVISION)成立
  • 1980 完成齐纳二极管的开发、研究
  • 1981 注册公司名由东洋电具制作所改为ROHM Co., Ltd.
  • 1981 开始开发MOS ICs
  • 1981 ROHM Fukuoka株式会社成立
  • 1982 半导体研究中心成立
  • 1982 开始数字晶体管的开发和销售
  • 1983 在大阪股票交易所大证二部上市
  • 1983 开始波段转换二极管的开发和销售
  • 1984 通过MBE(分子束外延)法将激光二极管应用于工业
  • 1984 ROHM Amagi株式会社成立
  • 1985 开发了使用4字节和8字节原始CPU的微控制器
  • 1986 在大阪股票交易所升级至大证一部
  • 1986 成立研究和开发中心(现在的LSI开发中心);开始即已ICs的开发和销售;开始电容器的销售
  • 1987 泰国关联制造会社成立 ( 现ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd. );ROHM 电子台湾有限公司成立
  • 1988 在美国获得闪存专利权;ROHM Mechatech株式会社成立;成田技研株式会社成立
  • 1989 在东京股票交易所东证一号上市;荣获杰出企业经营质量奖 (TPM);成立LSI研究中心
    确立液晶工艺技术,开始销售;菲律宾关联制造会社成立 ( 现ROHM Electronics Philippines, Inc. );ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd. 成立;ROHM Electronics (U.K.) Limited 成立;主办"ROHM音乐节暨巴赫演奏会"
  • 1990 美国技术开发中心成立;开始LED信息板的销售;ROHM Apollo Device株式会社成立
  • 1991 成立第二研究开发中心;建立财团法人ROHM MUSIC FOUNDATION;主办"青年艺术家希望音乐会"
  • 1992 在ROHM集团内彻底废除使用氟利昂;开发了内置闪存的信息传输微型控制器;主办"现代与古典音乐会"
  • 1993 开发了具有独特广阔视角的大型共视LCD显示器;ROHM 电子大连有限公司成立;天津关联制造公司成立 ( 现 ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd. );ROHM Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd. 成立;ROHM Mechatech Philippines, Inc. 成立;主办"93年京都国际学生音乐节"(以后每年一次);主办"莫扎特音乐会"
  • 1994 通过ISO9001认证;开发了用于展布频谱传输的単晶片大规模集成电路,它是无线转换的新生代;赞助"The New York Trio";ROHM君的新博物日记 日本科学传说"的报纸连载开始
  • 1995 成立第二个LSI研究中心;与美国的Zycard公司共同开发了100,000门的现场(用户)可编程序阵列;开发了内置调制解调线路的IC,可用于IrDA红外线数据通信;主办「ROHM LYRICSELECTION熊本玛丽音乐会」;赞助国立巴黎管弦乐团;出版CD-ROM"ROHM京都博物日记~音景报道编"
  • 1996 ROHM Wako Device株式会社成立;ROHM Electronics Korea Corporation 成立;ROHM Electronics (Philippines) Sales Corporation 成立;赞助Scala音乐爱好者管弦乐团
  • 1997 横滨技术中心成立;DVD用红色激光二极管的量产体制确立;ROHM Electronics (Thailand) Co., Ltd. 成立;ROHM Electronics (France) S.A.S.成立;赞助"琵琶湖畔每日马拉松";赞助莫斯科广播交响乐;赞助捷克布拉格交响乐团Cosponsored "Prague Symphony Orchestra."
  • 1998 获得ISO14001环境管理体系认证;VLSI研究中心成立;开发了ROHM都有的拥有高可靠性的双单元系统EEPROM;开发了世界顶级低VF、低IR的肖特基势垒二极管;赞助了全国男子分段长跑接力赛;赞助超级三重奏音乐会"Ashkenazy,Zukerman,Harell";赞助由小泽征尔指挥的新日本爱乐交响乐团演奏会
  • 1999 京都技术中心成立;LSI开发中心成立;香港技术中心成立;开发了移动电话用音源LSI;与日本工业技术院合作开发了氯化亚铅(ZnO)单晶片;ROHM Hamamatsu株式会社成立;ROHM电子(上海)有限公司成立;赞助"Kyoto City Half marathon";赞助"St﹒Petersburg State Philharmony Orchestra";赞助"Alfred Brendel Piano Recital"
  • 2000 欧洲技术中心成立;开发了适用于DVD的顶级高S/N、低抖动时钟发生器IC;开发了系统LSI;设计技术"REAL SOCKET™";ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd. 成立
  • 2001 ROHM Co., Ltd.(新横滨)成立;开发了用于CD和DVD驱动的消音盘驱动器技术 (S!PWM×2);开发了用于32倍速以上高速光驱的180-mW高功率激光二极管;澳大利亚「ROHM的森林」植树造林开始;"立命馆大学ROHM纪念馆"赠送
  • 2002 光学器件研究中心成立
  • 2003 LSI测试技术中心成立;开发了用于平板显示器的LVDS接口LSI;ROHM电子贸易(大连)有限公司成立;ROHM Tsukuba株式会社成立
  • 2004 上海技术中心成立;台湾技术中心成立;开发了可大幅度提高开发效率的心设计环境平台REAL PLATFORM;300mm晶圆正式投入量产;130纳米CMOS LSI量产开始
  • 2005 韩国技术中心成立;歩进式热敏打印头的研发。实现高耐久性;半导体开关元器件的研发。开始量式生产;
  • 2006 深圳技术中心成立;名古屋设计中心成立;耐压900V﹑电流通过率达3.1Ω/cm²的世界最高性能硅谷电石(SiC)FET的研发;ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd. 成立;ROHM Electronics (Shenzhen) Co., Ltd. 成立;举行ROHM音乐基金会、音乐研究会成员的2006年室内乐音乐会;赞助匈牙利国立爱乐管弦乐团
  • 2007 获得ISO/IEC 17025实验室认证;开发了超小超薄贴片LED「PICOLEDTM[picoled:霹克镭]」;开发了编入设备用无线LAN基带LSI (内置暗号信号处理IEEE802.1X协议)
  • 2008 迎接创立50周年,启用新商标"ROHM SEMICONDUCTOR"
  • 2008 收购OKI半导体株式会社
  • 2008 开发待机零耗电的非易失性逻辑技术;合作成立照明用有机EL板事业会社;参与生物芯片领域,开发血液检查芯片,并投入市场
  • 2009 成功实现低阻值SiC Trench MOSFET 的大容量化;开发无缝型LED基础照明
  • 2009 收购MEMS加速度传感器开发商Kionix, Inc.
  • 2009 收购SiC晶圆的供应商SiCrystal公司
  • 2010 开发1608尺寸的4V/100μF钽电容器;开发0.9V驱动的MOSFET "ECOMOS™";开发能够自由自在控制射出光束方向的半导体激光器;重新装修京都技术中心、京都商务中心,全面引进自产LED照明
  • 2011 ROHM Semiconductor India Pvt. Ltd. 成立;在清华大学(中国・北京)建设"清华-罗姆电子工程馆";巴西销售公司成立
  • 2012 清华-罗姆联合研究中心成立;罗姆京都车站前大楼获节能大奖「资源能源厅长官奖」;"全SiC"功率模块开始量产;开发出超小静态电流6μA(比以往产品降低80%)的车载用LDO稳压器;晶体管封装"VML0806"开始量产;开发出超小"0402尺寸"齐纳二极管;罗姆成为利用能量采集技术的新一代无线通信标准推进团体;"EnOcean Alliance(易能森联盟)"的发起者;无肖特基势垒二极管的SiC-MOS模块开始量产
  • 2013 面向美国英特尔®公司的平板电脑,与英特尔®公司联合开发出;支持新一代凌动™处理器"Bay Trail"的最佳低功耗电源管理IC;开发出兼备MOSFET和IGBT优点的新型晶体管"Hybrid MOS";取得京都会馆的冠名权并命名"ROHM THEATER KYOTO";采用全新工艺方法,超小元器件"RASMID™系列"开始量产;开发出搭载PFC控制功能的高效率AC/DC转换器IC
  • 2014 印度技术中心成立;开始高精度薄膜压电元件MEMS代工业务;开发适合构建智能社区的"Wi-SUN"通用无线通信模块;开发适合检测车载、工业设备电流的大功率、超低阻值分流电阻;开发超小晶体管"VML0604"。比以往产品减小50%,实现小型化
  • 2015 ROHM开发出SiC驱动用AC/DC转换器控制IC;ROHM开发出符合WPC Qi 标准中等功率(15W以下)规格的无线供电芯片组;ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET;
  • 2015 收购瑞萨半导体制造有限公司滋贺工厂的一部分为子公司
    2016 “京都罗姆剧院”正式运营;构建可直接从48V降至3.3V的DC/DC转换器IC技术;开发出小型车载LDO稳压器BUxxJA2MNVX-C系列;开发出小型Nch 40V MOSFET“AG009DGQ3”;成为Venturi Formula E车队的官方技术合作伙伴,该车队使用了罗姆的SiC肖特基势垒二极管
  • 2017 发布电源核心技术Nano系列;采用Nano Pulse Control技术,开发出2MHz工作、60V输入2.5V输出高降压比的电源IC“BD9V100MUF-C”;开发出无需噪声设计的车载运算放大器“BA8290xYxx-C系列”;新增“PSR100”和“GMR100”分流电阻器系列
  • 2018 采用Nano Energy技术,开发出180nA低消耗电流的DC/DC转换器“BD70522GUL”
  • 2018 获得汽车功能安全标准“ISO 26262”的开发工艺认证
  • 2018 开发出低噪声CMOS运算放大器“LMR1802G-LB”
  • 2018 采用Quick Buck Booster技术,开发出低消耗电流和性能稳定的车载升降压电源芯片组
  • 2018 开发出1700V“全SiC”功率模块“BSM250D17P2E004”,在高温高湿环境下实现高可靠性

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