磁阻随机存取存储器（MRAM）生产商：Everspin Technologies, Inc.(MRAM)

Everspin Technologies, Inc.(NASDAQ:MRAM)创立于2008年，总部位于美国亚利桑那州Chandler，全职雇员86人，是一家半导体存储器（记忆体）生产商，Everspin Technologies, Inc. 在美国、日本、香港、德国、新加坡、中国大陆、加拿大及全球范围内生产和销售磁阻随机存取存储器 (MRAM) 技术。

Everspin Technologies, Inc.(MRAM)美股百科

Everspin Technologies, Inc.是一家公开交易的半导体公司，总部位于美国亚利桑那州的Chandler。公司开发和制造独立磁阻式随机存取存储器（MRAM）产品，包括Toggle MRAM和自旋转移矩MRAM（STT-MRAM）产品系列。它还将其技术授权用于嵌入式MRAM（eMRAM）应用、磁传感器应用，并为eMRAM提供后段晶圆代工服务。

MRAM具有接近静态随机存取存储器（SRAM）的性能特性，同时还具备非易失性存储器的持久性，也就是说，即使系统断电，它也不会丢失电荷或数据。这一特性使得MRAM非常适用于需要持久性、性能、耐久性和可靠性的各类应用场景。

MRAM 利用电子自旋的磁性来提供快速且持久的非易失性存储器。MRAM 将信息存储在与硅电路集成的磁性材料中，从而提供 RAM 的速度和闪存的非易失性。Everspin 拥有并运营着一条磁性后端晶圆加工生产线，采用来自代工厂的标准 CMOS 晶圆。Everspin 目前的 MRAM 产品基于 180 纳米、130 纳米、40 纳米和 28 纳米工艺技术节点和行业标准封装。

Everspin Technologies 公司提供 Toggle MRAM、自旋转移扭矩 MRAM 和隧道磁阻传感器产品，并提供 MRAM 产品的代工服务。

Everspin Technologies 公司产品应用于工业、医疗、汽车/交通运输、航空航天和数据中心等市场。

Everspin Technologies 公司通过直销渠道以及代表和分销商网络为原始设备制造商 (OEM)、合同制造商 (CDM) 和原始设计制造商 (ODM) 提供服务。

Everspin Technologies, Inc.(MRAM)产品百科

1、Toggle MRAM

Toggle MRAM存储器利用电子自旋的磁性，实现了无易失性且无磨损的数据存储。Toggle MRAM采用一个晶体管和一个MTJ单元，提供耐用且高密度的存储性能。由于Toggle MRAM具有非易失性，其所存储的数据在特定温度范围内（-40°C至150°C）可保存长达20年。

MTJ由一个固定磁层、一个薄的电介质隧道障碍层以及一个自由磁层组成。当对Spin Toggle的MTJ施加偏压时，被磁层自旋极化的电子会“穿隧”通过电介质障碍层。当自由层的磁矩与固定层平行时，MTJ器件呈低电阻；而当自由层的磁矩与固定层磁矩反向（反平行）时，器件则呈现高电阻。

现有的生产容量涵盖128Kb至16Mb，提供Parallel和SPI接口，封装形式包括DFN、SOIC、BGA和TSOP2。

2、自旋转移扭矩MRAM 

自旋转移力矩是一种MRAM存储器形式（STT-MRAM），采用垂直MTJ结构，并利用自旋转移力矩特性（通过极化电流操控电子自旋）来调控自由层的磁状态，从而实现对存储阵列中位的编程或写入。Everspin设计的垂直MTJ堆栈具备高垂直磁各向异性，带来了长时间的数据保持、小型单元尺寸、高密度、高耐久性以及低功耗。

与Toggle MRAM相比，STT-MRAM具有更低的切换能耗，并且可以实现更高的存储密度。Everspin的STT-MRAM产品兼容JEDEC标准的DDR3和DDR4接口（但在MRAM技术上需进行一些修改）。在此模式下，DDR3产品可像持久性（非易失性）DRAM那样工作，无需刷新；而DDR4产品在空闲状态下则具备自刷新模式。

兼容DDR4的STT-MRAM器件，容量为1Gb，于2017年8月初开始向客户提供早期样品。2019年6月，1Gb STT-MRAM进入试产阶段。2020年，GlobalFoundries开始为Everspin的MRAM采用其12纳米生产平台。两家公司自2014年起便合作，当时GlobalFoundries开始生产48纳米MRAM产品。

3、nvNITRO Storage Accelerators

Everspin开发了nvNITRO产品，以满足通常由NVMe产品提供服务的存储需求。这些产品有两种不同的外形规格：HHHL（PCIe Gen3 x8）和U.2。目前这些设备可存储多达1GB的数据，随着MRAM密度的不断提升，未来将支持更大的容量。nvNITRO产品能够满足NVMe 1.1和块存储的需求。

由于这些产品基于MRAM构建，因此无需像传统磁性存储产品那样依赖电池备份来保护传输中的数据。Everspin于2017年8月正式发布了首款基于256Mb ST-MRAM（容量为1GB和2GB）的nvNITRO产品。未来版本将基于最新开始向客户提供样品的1Gb ST-MRAM密度。

SMART Modular Technologies已签约成为nvNITRO技术合作伙伴，并将以其自有品牌销售nvNITRO存储加速器。

4、嵌入式 MRAM 

Everspin与GlobalFoundries合作，将MRAM集成到标准CMOS技术中，使其能够无损地集成到CMOS逻辑设计中。嵌入式MRAM可以取代任何CMOS设计中的嵌入式闪存、DRAM或SRAM，提供具有非易失性的相似容量存储。

嵌入式MRAM可集成于65纳米、40纳米、28纳米的制程中，如今也可应用于GlobalFoundries的22FDX制程（22纳米），该制程采用完全耗尽的绝缘体上硅（FD-SOI）技术。

Everspin Technologies, Inc.(MRAM)历史百科

MRAM的研发之路始于1984年，当时Albert Fert和Peter Grünberg发现了GMR效应。十二年后的1996年，自旋转移力矩（spin-transfer torque）被提出，使得可以通过自旋极化电流对磁性隧道结（MTJ）或自旋阀进行修改。此时，Motorola开始了其MRAM研究，并于1998年开发出第一个MTJ。

一年后的1999年，Motorola开发出一个256Kb的MRAM测试芯片，这使得MRAM技术商品化的工作得以启动，随后Motorola于2002年获得了Toggle的相关专利。业界首款商业化MRAM（4Mb）产品于2006年正式推出。

早期大量的MRAM研发工作由Motorola完成，该公司于2004年将其半导体业务分拆，2008年成立了Freescale Semiconductor，后者最终又将MRAM业务剥离为Everspin Technologies。

2008年，Everspin宣布其MRAM产品系列采用BGA封装，支持从256Kb到4Mb的容量。次年，即2009年，Everspin发布了第一代SPI MRAM产品系列，并与GlobalFoundries合作开始出货首批嵌入式MRAM样品。到2010年，Everspin开始扩大产量，并售出了第一百万颗MRAM。同年，业界首款嵌入式MRAM通过认证，并发布了16Mb容量产品。

随着产能提升，到2011年，Everspin已出货其第四百万颗独立MRAM和第二百万颗嵌入式MRAM。64Mb的ST-MRAM基于90纳米工艺制造，于2012年推出。

2014年，Everspin与GlobalFoundries合作，在300毫米晶圆上生产面内与垂直MTJ ST-MRAM，采用40纳米和28纳米工艺节点。

到2016年，Everspin宣布正在向客户提供业界首款256Mb ST-MRAM的样品，GlobalFoundries也联合Everspin宣布了22纳米嵌入式MRAM。同年10月7日，Everspin通过IPO上市。

2017年，Everspin将其ST-MRAM产品扩展支持至FPGA系统，引入DDR3和DDR4兼容性，使其兼容Xilinx的UltraScale FPGA内存控制器。同年9月1日，Kevin Conley被任命为Everspin的首席执行官兼总裁。Conley曾任SanDisk首席技术官，拥有企业级存储经验。

2018年，Everspin扩大了其256Mb STT-MRAM的生产规模，并于12月开始向客户交付首批1Gb STT-MRAM样品。

2019年，Everspin于6月启动了1Gb STT-MRAM的试产，并宣布扩展其设计生态系统，帮助系统设计人员将1Gb ST-DDR4产品集成到其设计中。

Everspin Technologies, Inc.(MRAM)美股投资

参考资料：