磁阻随机存取存储器（MRAM）生产商：Everspin Technologies, Inc.(MRAM)

Everspin Technologies, Inc.(NASDAQ:MRAM)创立于2008年，总部位于美国亚利桑那州Chandler，全职雇员90人，是一家半导体存储器（记忆体）生产商，为美国及国际上的客户制造及销售磁阻随机存取存储器（Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM）产品。

Everspin Technologies, Inc.(MRAM)美股百科：

Everspin Technologies是一家开发和制造磁性RAM或磁阻随机存取存储器（MRAM）的公共半导体公司，其中包括独立和嵌入式MRAM产品以及自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）。

MRAM具有与标准随机存取存储器（RAM）类似的性能特征，同时还具有非易失性存储器的持久性，这意味着如果从系统中移除电源，其不会丢失其电荷或数据。这一特性使MRAM适用于大量嵌入式应用，如需要性能和持久性的汽车和工业应用。

Everspin Technologies公司成立于2008年6月，是飞思卡尔半导体的一部分。 2014年，Everspin与GlobalFoundries合作，利用40nm和28nm节点工艺在300mm晶圆上生产平面内和垂直MTJ ST-MRAM 。 Everspin于2016年10月IPO上市。

Everspin Technologies提供Toggle MRAM，自旋转矩MRAM，嵌入式MRAM，磁性传感器以及航空和卫星电子系统，公司产品应用于工业，汽车，运输和企业存储市场。

Everspin Technologies通过直销渠道和代表和分销商网络为客户提供服务。

Everspin Technologies, Inc.(MRAM)历史百科：

磁阻随机存取存储器（MRAM）始于1984年，当时Albert Fer和Peter Grünberg发现了GMR效应。十二年后的1996年，提出了自旋转移力矩，使磁隧道结或自旋阀可以用自旋极化电流进行修改。此时，摩托罗拉开始了他们的MRAM研究，并在1998年研究出第一款MTJ。一年后，在1999年，摩托罗拉开发出256Kb MRAM测试芯片，使得开始生产MRAM技术成为可能，随后在2002年摩托罗拉授予Toggle专利。业界第一款MRAM（4Mb）产品已投入市场。

早期的MRAM工作大部分由摩托罗拉完成，摩托罗拉于2004年将半导体业务剥离出来创建了飞思卡尔半导体公司，最终将MRAM业务分拆为Everspin Technologies。

2008年，Everspin宣布其MRAM产品系列的BGA封装将支持256Kb至4Mb的密度。次年，在2009年，Everspin发布了他们的第一代SPI MRAM产品系列，并开始与GlobalFoundries一起交付首批嵌入式MRAM样品。

到2010年，Everspin已经开始提高产量并出售其第一百万个MRAM。

随着产量的增加，Everspin在2011年之前制造并销售了其第400万片独立MRAM和第200万片嵌入式MRAM。2012年，在90纳米工艺生产的64Mb ST-MRAM。

到2016年，Everspin宣布向客户提供业界首个256Mb ST-MRAM样品，GlobalFoundries与Everspin共同宣布推出22纳米嵌入式MRAM，Everspin于同年10月7日在纳斯达克IPO上市。

2017年，Everspin通过为其ST-MRAM产品提供DDR3和DDR4兼容性，将对MRAM的支持扩展到FPGA，使其与Xilinx的UltraScale FPGA存储器控制器兼容。

2017年9月1日，Kevin Conley被任命为Everspin首席执行官兼总裁。 Conley是SanDisk的前CTO，为公司带来了企业存储专业知识。

Everspin Technologies, Inc.(MRAM)美股投资：

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