中国最大DRAM芯片研发设计公司:长鑫存储(长鑫科技)ChangXin Memory Technologies

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长鑫存储技术股份有限公司 ChangXin Memory Technologies(简称CXMT)成立于2017年,前称合肥睿力集成电路有限公司,总部位于中国安徽合肥,是一家一体化动态随机存取记忆体(DRAM)制造商,专注于DRAM芯片的设计、研发、生产与销售,是目前中国大陆唯一具备通用型DRAM大规模量产能力的整合元件制造厂(IDM)。

中国最大DRAM芯片研发设计公司:长鑫存储(长鑫科技)ChangXin Memory Technologies

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长鑫存储 ChangXin Memory Technologies 美股百科

长鑫存储是一家一体化存储器制造公司,专注于动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售,在国内外拥有多个研发中心和分支机构。长鑫存储的技术团队拥有丰富的技术研发经验和创新能力,已推出多款DRAM商用产品,广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实物联网等领域。

长鑫存储在合肥与北京拥有三座12吋晶圆厂,目标至2026年将月产能提升至约30万片晶圆。同时,长鑫存储正于上海兴建高带宽记忆体(HBM)封装厂,目标在2026年底投产,并计划开始量产第四代HBM3芯片,以切入由三星电子SK海力士美光科技主导的高阶记忆体市场。

2025年12月底,长鑫存储营运主体“长鑫科技集团股份有限公司”正式向上交所提交科创板上市申请并获受理,计划募集资金人民币295亿元,主要用于先进制程研发与产能扩张。若成功上市,长鑫存储有望成为A股首家纯正的DRAM上市公司。

长鑫存储 ChangXin Memory Technologies 历史百科

Innotron 与 Fujian Jinhua Integrated Circuit(JHICC)以及 Xi'an UniIC Semiconductors 一同,属于中国在 2016 年设立的一批半导体工厂,旨在与全球计算机存储器制造商展开竞争。

2017 年,公司宣布了一项总投资 72 亿美元的项目,用于建设一座月产能 125,000 片、12 英寸(300mm)晶圆的晶圆制造厂。Innotron 的工厂于 2017 年年中完工,并在 2017 年底完成生产设备的安装。试产和量产原计划分别于 2018 年底和 2019 年初启动。2018 年,有报道称公司首席执行官 Zhu Yiming 曾造访 ASML,讨论采购极紫外光刻机相关事宜。

最初,外界普遍认为 Innotron 选择 8GB LPDDR4 存储芯片作为其首款产品。当时分析人士指出,专利和知识产权问题将成为其与主要制造商竞争的重要障碍。2018 年年中,有报道称 Innotron 已开始进行 19 纳米工艺的 8GB LPDDR4 试生产。公司初始产能约为每月 20,000 片晶圆,在整个行业中属于较小规模的产出。

2019 年,Innotron 更名为 Changxin Memory Technologies。据报道,该公司进行了部分设计调整,以规避源自中美贸易战的潜在技术相关制裁。2019 年 12 月,公司在接受 EE Times 采访时表示,其首座晶圆厂已进入量产阶段,月产能为 20,000 片晶圆,采用 19 纳米工艺生产 8GB LPDDR4 和 DDR4 DRAM。

2022 年,《2023 财年 James M. Inhofe 国防授权法案》禁止美国联邦政府采购或使用来自 CXMT 的芯片。2024 年 3 月,Bloomberg News 报道称,美国商务部工业与安全局正在评估是否对 CXMT 实施制裁。

据报道,截至 2025 年第一季度,长鑫存储公司产量已占全球 DRAM 总产出的约 6%,并计划在 2025 年第四季度将这一比例提升至 10%。长鑫存储公司于 2025 年初左右开始销售 DDR5 SDRAM。

长鑫存储 ChangXin Memory Technologies 融资百科

2020年11月11日,长鑫存储获得3亿元(人民币,下同)债务融资资金,由China Integrated Circuit Industry Investment Fund (国家集成电路产业投资基金,CICF)、Changxin Integrated、Shixi Power Collection和Anhui Province Sanzhong Yichuang Industry Development Fund共同投资。

2020年12月14日,长鑫存储完成157亿元A轮融资,投资者包括招商证券、TCL创投、建银国际、国寿投资、人保资本、招商致远资本、农银投资、招银国际资本、小米长江产业基金、君联资本、中金资本、国家集成电路产业投资基金、普罗资本、海通开元等。

2022年2月17日,长鑫科技完成C+轮融资,募资83.9亿,投后估值为1077.89亿元,投资者包括腾讯投资、华登国际、阿里巴巴、中邮保险、和谐健康、东方资管、伟星集团、君和资本、深投控、前海母基金、大湾区共同家园发展基金、水木基金、阳光保险等。

2024年3月30日,长鑫科技完成108亿融资,投后估值约1500亿元,投资者包括兆易创新、合肥长鑫集成电路有限责任公司、合肥产投壹号股权投资合伙企业(有限合伙)、建信金融资产投资有限公司等。

长鑫存储 ChangXin Memory Technologies 美股投资

长鑫科技递交科创板IPO申请已于2025年12月30日获受理,申报过程使用了预先审阅机制。长鑫科技计划募资295亿元,是科创板开板以来募资规模第二大的IPO项目。第一是中芯国际,当年募资约532.3亿,2025年9月时市值一度冲破万亿元大关。

2022年、2023年及2024年,长鑫科技归母净利润分别为-89.80亿元、-69.01亿元和-55.26亿元。而根据最新预测,公司预计将在2025年实现全年净利润20亿至35亿元的历史性盈利拐点。2024年收入达241.78亿元,预计2025年将跃升至550-580亿元,实现翻倍以上增长。这种增速在全球重资产半导体企业中也是罕见的。2026年初,因AI服务器需求爆发,全球DRAM巨头计划大幅提价60%-70%,行业进入强景气周期。长鑫科技作为主要供应商,将直接受益于量价齐升。

参考资料:

  1. 公司官网
  2. 美股百科
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  • 本文由 美股百科 发表于2026年1月19日
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